Impedancia de cerámica PCB

Impedancia de cerámica PCB
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Además de MCPCB , si desea utilizar PCB en productos electrónicos de alta presión, alto aislamiento, alta frecuencia, alta temperatura y alto volumen confiable y de menor volumen, Ceramic PCB será su mejor opción.

¿Por qué Ceramic PCB tiene un rendimiento tan excelente? Puede tener una breve vista de su estructura básica y luego comprenderá.

  • 96% o 98% de alúmina (Al2O3), nitruro de aluminio (AIN) u óxido de berilio (BeO)
  • Material de los conductores: para tecnología de película delgada y gruesa, será paladio plateado (AgPd), pllladium de oro (AuPd); Para DCB (Direct Copper Bonded) solo será de cobre
  • Temperatura de aplicación: -55 ~ 850C
  • Valor de conductividad térmica: 24W ~ 28W / mK (Al2O3); 150W ~ 240W / mK para AIN, 220 ~ 250W / mK para BeO;
  • Resistencia máxima a la compresión:> 7,000 N / cm2
  • Voltaje de ruptura (KV / mm): 15/20/28 para 0.25mm / 0.63mm / 1.0mm respectivamente
  • Coneficiente de expansión térmica (ppm / K): 7.4 (por debajo de 50 ~ 200C)


De acuerdo con los diferentes métodos de fabricación, actualmente existen tres tipos básicos para placas de cerámica:

A) Tablero De Cerámica De Película Gruesa

PWB de cerámica de película gruesa: con esta tecnología, el espesor de la capa conductora supera las 10 micras, más que la tecnología de inyección. El conductor es paladio plateado o dorado, y se imprimió sobre sustrato cerámico.

B) Tablero de cerámica de película delgada

Tecnología de película delgada PCB de cerámica: debido a que el grosor de la resistencia eléctrica y la película conductora es inferior a 10 micrones, y esa película brotaba sobre un sustrato cerámico, denominado tablero cerámico de película delgada.

C) Tablero de cerámica DCB

La tecnología DCB (Direct Copper Bonded) denota un proceso especial en el cual la lámina de cobre y el núcleo (Al2O3 o AIN), en uno o ambos lados, se unen directamente bajo la temperatura y presión adecuadas.

Aplicación de PCB cerámica
  • oscilador de reloj de alta precisión, oscilador controlado por voltaje (VCXO), osciladores de cristal compensado por temperatura (TCXOs), osciladores de cristal controlado por horno (OCXOs);
  • enfriador emiconductor;
  • módulo de control electrónico de energía eléctrica;
  • alto aislamiento y dispositivo de alta presión;
  • alta temperatura (hasta 800C)
  • LED de alta potencia
  • Módulos semiconductores de alta potencia.
  • relé de estado sólido (SSR)
  • Fuentes de alimentación del módulo DC-DC
  • módulos de transmisión de energía eléctrica
  • Arreglos de paneles solares

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